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供应无锡新洁能NCE60TD65BP 功率三极管
新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（Injection Enhance, IE）与场截止（Field Stop，FS）技术，新洁能IGBT系列产品在提供行业领先的导通压降（Vce），并且在导通损耗与关断损耗
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2022-06-16 |
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NCE/新洁能半导体NCE60T2K2I 原装正品
新洁能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品，以优秀的导通电阻，极低的栅极电荷，出色的开关速度，以及极具竞争力的性价比，成为开关电源应用中的理想选择。同时，新洁能SJ-III系列产
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2022-06-16 |
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无锡新洁能NCE65T1K2K 集成电路、处理器、微控制器
500-800V N-Channel SJ-III MOSFET概览新洁能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品，以优秀的导通电阻，极低的栅极电荷，出色的开关速度，以及极具竞争力的性价比，成为开关电源应用中
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2022-06-16 |
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